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50MHz MJE182G BJTのコレクターの基礎電圧VCBO 100V
| モデル番号 | MJE182G BJT |
|---|---|
| 価格 | 交渉可能 |
| パッケージの詳細 | 箱 |
| 受渡し時間 | 12-14週 |
| 支払条件 | L/C、T/T |
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x商品の詳細
| MFR | onsemi | 製品カテゴリ | 両極トランジスター- BJT |
|---|---|---|---|
| 最高コレクターのエミッターの電圧VCEO | 80ボルト | コレクターの基礎電圧VCBO | 100ボルト |
| エミッターの基礎電圧VEBO | 7ボルト | Collector-Emitterの飽和電圧 | 1.7V |
| 最大 DC コレクタ電流 | 3 A | Pd -電力損失 | 12.5のW |
| 利益帯域幅プロダクトfT | 50のMHz | 最低の実用温度 | - 65 C |
| ハイライト | 50MHz BJTのコレクター,BJTのコレクター100V,MJE182G |
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製品の説明
航空部品MJE182G BJTのコレクターの基礎電圧VCBO 100 V
航空部品の記述:
MJE170/180シリーズは低い電力のオーディオ・アンプおよび低い現在の、高速転換の適用のために設計されている。
航空部品の特徴:
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•高いDCの現在の利益
•高いCurrent−Gainの−の帯域幅プロダクト
•低い漏出のための環状の構造
•エポキシの大会UL 94 V−0 @ 0.125 inに
•これらの装置はPb−Free、RoHS Compliant*である
航空部品の指定:
| 製品特質 | 属性値 |
| 製造業者: | onsemi |
| 製品カテゴリ: | 両極トランジスター- BJT |
| RoHS: | 細部 |
| 様式の取付け: | 穴を通して |
| パッケージ/場合: | TO-225-3 |
| トランジスター極性: | NPN |
| 構成: | 単一 |
| 最高コレクターのエミッターの電圧VCEO: | 80ボルト |
| コレクターの基礎電圧VCBO: | 100ボルト |
| エミッターの基礎電圧VEBO: | 7ボルト |
| Collector-Emitterの飽和電圧: | 1.7 V |
| 最高DCのコレクター流れ: | 3 A |
| Pd -電力損失: | 12.5のW |
| 利益帯域幅プロダクトfT: | 50のMHz |
| 最低の実用温度: | - 65 C |
| 最高使用可能温度: | + 150 C |
| シリーズ: | MJE182 |
| 包装: | 大きさ |
| ブランド: | onsemi |
| 連続的なコレクター流れ: | 3 A |
| DCのコレクター/基礎利益hfe分: | 50 |
| 高さ: | 11.04 mm |
| 長さ: | 7.74 mm |
| 製品タイプ: | BJTs -両極トランジスター |
| 工場パックの量: | 500 |
| 下位範疇: | トランジスター |
| 技術: | Si |
| 幅: | 2.66 mm |
| 単位重量: | 0.023986 oz |
